Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
PCDD05120G1_L2_00001
1200V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PCDD05120G1
PCDD05120G1_L2_00001 Hakkında
PCDD05120G1_L2_00001, PANJIT tarafından üretilen 1200V Silicon Carbide Schottky Barrier diyottur. Surface Mount TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu komponent, 5A DC doğrultma akımı sağlar. Schottky diyot yapısı sayesinde 0 ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu diyot, 1.7V ileri gerilim düşümüne ve 50µA ters sızıntı akımına sahiptir. Yüksek gerilim uygulamalarında, güç kaynakları, invertörler ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılan bu komponent, düşük ters kurtarma süresi ile enerji verimliliğini artırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 252pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 5A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 5 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok