Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
PCDB1065G1_T0_00001
650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PCDB1065G1
PCDB1065G1_T0_00001 Hakkında
PCDB1065G1_T0_00001, Panjit tarafından üretilen 650V Silicon Carbide (SiC) Schottky barrier diyottur. 10A DC doğrultma akımı kapasitesine sahip bu komponent, düşük forward voltage (1.7V @ 10A) ve sıfır reverse recovery time özellikleriyle dikkat çekmektedir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu diyot, -55°C ile 175°C arasında çalışmaktadır. SiC Schottky diyotlar güç dönüştürme uygulamalarında, inverter devrelerde, boost konvertörlerde ve fotovoltaik sistemlerde yaygın olarak kullanılmaktadır. 650V reverse voltage derecelemesi, endüstriyel ve yenilenebilir enerji uygulamalarına uygunluğunu göstermektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 364pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 70 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-263 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 10 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok