Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
PCDB10120G1_T0_00001
1200V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PCDB10120G1
PCDB10120G1_T0_00001 Hakkında
PANJIT tarafından üretilen PCDB10120G1_T0_00001, 1200V SIC (Silicon Carbide) Schottky Barrier Diodudur. Surface Mount TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 10A DC ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahiptir. Sıfır reverse recovery time özelliği sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Maksimum ileri gerilim değeri 1.7V @ 10A olup, 1200V ters gerilimine kadar çalışır. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu diyot, güç kaynakları, invertör devreleri, endüstriyel motor kontrol sistemleri ve yüksek frekans anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Silicon Carbide teknolojisi sayesinde ısı yönetimi ve verimlilik avantajları sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 529pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-263 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 10 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok