Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
PCDB0865G1_T0_00001
650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PCDB0865G1
PCDB0865G1_T0_00001 Hakkında
PCDB0865G1_T0_00001, PANJIT tarafından üretilen 650V Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diyottur. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, 8A DC doğrultulmuş akım kapasitesine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. 1.7V @ 8A ön gerilim değeri ve 650V maksimum ters gerilim özelliğine sahip olup, 0 ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Gücü yönetim uygulamalarında, PFC devreleri ve yüksek frekans anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. 296pF @ 1V, 1MHz kapasitans değeri ile düşük geçiş kaybı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 296pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 60 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-263 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 8 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok