Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
PCDB0665G1_T0_00001
650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PCDB0665G1
PCDB0665G1_T0_00001 Hakkında
PANJIT tarafından üretilen PCDB0665G1_T0_00001, 650V dayanıma sahip Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier diyottur. TO-263-3 Surface Mount paketinde sunulan bu komponent, 6A DC doğrultma akımı kapasitesine ve 1.7V ileri gerilim düşümüne sahiptir. Reverse recovery time'ı 0 ns olup, 500mA üzerinde herhangi bir geri iyileşme süresi göstermemektedir. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu diyot, güç dönüştürme uygulamaları, anahtarlı güç kaynakları (SMPS), fotovoltaik sistemler ve endüstriyel sürücü devrelerinde kullanılır. Düşük ön gerilim ve hızlı anahtarlama özellikleri sayesinde enerji kaybını minimize eder.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 228pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 6A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-263 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 6 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok