Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
PBSS9110AS,126
TRANS PNP 100V 1A TO92
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- PBSS9110AS
PBSS9110AS,126 Hakkında
PBSS9110AS,126, NXP Semiconductors tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-92-3 paketinde sunulmaktadır. Maximum collector akımı 1A, collector-emitter breakdown voltajı 100V olan bu transistör, düşük sinyal amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. DC current gain (hFE) minimum 150'dir (500mA, 5V koşullarında). Transition frequency 100MHz ile hızlı anahtarlama işlemlerine elverişlidir. Maximum güç tüketimi 830mW, saturation voltajı 320mV (100mA, 1A koşullarında) ve maksimum çalışma sıcaklığı 150°C'dir. Through-hole montajıyla PCB'lere doğrudan entegre edilebilir. Gürültü azaltma, ses sistemleri, endüstriyel kontrol ve genel amaçlı amplifikasyon devrelerinde yaygın olarak uygulanmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 500mA, 5V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 830 mW |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 320mV @ 100mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok