Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
PBSS8110S,126
TRANS NPN 100V 1A TO92
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- PBSS8110S
PBSS8110S,126 Hakkında
PBSS8110S,126, NXP Semiconductors tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-92-3 paketinde sunulan bu komponent, 100V collector-emitter breakdown voltajı ve 1A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 150°C işletme sıcaklığında çalışabilen ve 830mW maksimum güç tüketimi olan bu transistör, 100MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama operasyonlarını destekler. 200mV saturasyon voltajı ve minimum 150 hFE değeri ile sürücü ve anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde tercih edilir. Through-hole montaj tipi sayesinde klasik PCB tasarımlarında kolaylıkla kullanılabilir. Lütfen en güncel datasheet'i kontrol edin; ürün hali obsolete kategorisindedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 250mA, 10V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 830 mW |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 100mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok