Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
PBSS8110AS,126
TRANS NPN 100V 1A TO92
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- PBSS8110AS
PBSS8110AS,126 Hakkında
PBSS8110AS,126, NXP Semiconductors tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, orta güç uygulamalarında kullanılan tekil transistördür. 100V collector-emitter breakdown voltajı ve 1A maksimum collector akımı ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde yer alır. TO-92 plastik kasa ile Through Hole montaj teknolojisine sahiptir. 830 mW maksimum güç tüketimi, 100 MHz geçiş frekansı ve 150°C işletme sıcaklığı ile bilgisayar çevre birimleri, endüstriyel kontrol, tüketici elektroniği ve sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Düşük saturasyon voltajı ve yüksek akım kazancı sayesinde verimli anahtar tasarımlarına olanak tanır. Ürün statüsü obsolete olup, yeni tasarımlarda güncel alternatiflerinin dikkate alınması önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 250mA, 10V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 830 mW |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 100mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok