Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
PBSS5630PA,115
NEXPERIA PBSS5630PA - SMALL SIGN
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 3-PowerUDFN
- Seri / Aile Numarası
- PBSS5630PA
PBSS5630PA,115 Hakkında
PBSS5630PA, Nexperia tarafından üretilen yüksek akım kapasiteli PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). 6A kolektör akımı, 30V kesinti voltajı ve 2.1W güç yeteneği ile orta ölçekli anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 80MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır. 3-HUSON (2x2) Surface Mount paketinde sunulan bu transistör, DC akım kazancı (hFE) minimum 190 değerinde ve 350mV saturasyon voltajı ile güvenilir çalışma sağlar. Motor sürücüleri, güç anahtarlaması, PWM kontrolü ve darbe genişliği modülasyonu uygulamalarında tercih edilir. -40°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 6 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 190 @ 2A, 2V |
| Frequency - Transition | 80MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-PowerUDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2.1 W |
| Supplier Device Package | 3-HUSON (2x2) |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 300mA, 6A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok