Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
PBSS5330PA,135
PBSS5330PA - 30 V, 3 A PNP LOW V
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 3-PowerUDFN
- Seri / Aile Numarası
- PBSS5330PA
PBSS5330PA,135 Hakkında
PBSS5330PA, Rochester Electronics tarafından üretilen 30V/3A kapasiteli PNP bipolar junction transistördür (BJT). Surface Mount 3-PowerUDFN (2x2) paketinde sunulan bu transistör, düşük kolektör-emitter doyum voltajı (320mV) ve 165MHz transition frequency'si ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 100@3A minimum DC current gain ve 500mW maksimum güç derecelendirmesi ile orta güç seviyesi devrelerde tercih edilir. Mobil cihazlar, güç yönetim devreleri, motor kontrol ve ses amplifikatörü gibi uygulamalarda kullanılan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışır. Düşük ICBO (100nA) değeri ile sızıntı akımı minimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 3A, 2V |
| Frequency - Transition | 165MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-PowerUDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500 mW |
| Supplier Device Package | 3-HUSON (2x2) |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 320mV @ 300mA, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok