Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
PBSS5330PA,115
TRANS PNP 30V 3A 3HUSON
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-PowerUDFN
- Seri / Aile Numarası
- PBSS5330PA
PBSS5330PA,115 Hakkında
PBSS5330PA,115, Nexperia tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). 30V breakdown voltajı ve 3A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 165MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. Surface mount 3-PowerUDFN (2x2mm) paketinde sunulan bu transistör, 175 minimum DC current gain (hFE) değerine sahiptir. 320mV saturation voltajı ile düşük enerji kaybı sağlar. Güç tüketimi maksimum 2.1W olup, 150°C çalışma sıcaklığına kadar dayanıklıdır. Anahtarlama devreleri, amplifikasyon uygulamaları ve genel amaçlı transistör uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 175 @ 1A, 2V |
| Frequency - Transition | 165MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-PowerUDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2.1 W |
| Supplier Device Package | 3-HUSON (2x2) |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 320mV @ 300mA, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok