Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
PBSS5260QAZ
TRANS PNP 60V 1.7A DFN1010D-3
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- PBSS5260QA
PBSS5260QAZ Hakkında
PBSS5260QAZ, Nexperia tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, maksimum 60V Vce ve 1.7A kolektör akımına dayanıklıdır. 3-XDFN DFN1010D-3 yüzey montajlı paket ile sunulan bu transistör, 150MHz geçiş frekansı ve 400mV doyum voltajı özellikleriyle düşük sinyalli anahtar uygulamalarında kullanılır. 325mW maksimum güç tüketimine ve 150°C işletme sıcaklığına sahip olması, portatif cihazlar, güç yönetimi devreler, sinyal işleme ve DC/DC dönüştürücü tasarımlarında tercih edilmesini sağlar. DC akım kazancı minimum 30 (1.7A, 2V'de) ile belirtilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1.7 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 1.7A, 2V |
| Frequency - Transition | 150MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 325 mW |
| Supplier Device Package | DFN1010D-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 50mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok