Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
PBSS5230QAZ
TRANS PNP 30V 2A DFN1010D-3
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- PBSS5230Q
PBSS5230QAZ Hakkında
PBSS5230QAZ, Nexperia tarafından üretilen yüksek hızlı PNP BJT transistördür. 30V kolektör-emitter gerilimi ve 2A maksimum kollektör akımı ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevlerini yerine getirir. 170MHz geçiş frekansı ile RF ve hızlı sinyal işleme devrelerinde kullanılabilir. Minimum 60 DC akım kazancı (2A, 2V koşullarında) sağlar. DFN1010D-3 yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, kompakt tasarımlar ve yüksek yoğunluklu PCB uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 325mW güç tüketimi ile batarya destekli ve taşınabilir elektronik cihazlarda uygulanır. 150°C çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 2A, 2V |
| Frequency - Transition | 170MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 325 mW |
| Supplier Device Package | DFN1010D-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 210mV @ 50mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok