Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
PBSS5230QAZ
NEXPERIA PBSS5230QA - 30 V, 2 A
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- PBSS5230
PBSS5230QAZ Hakkında
PBSS5230QAZ, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek hızlı PNP bipolar junction transistördür. 30V kolektör-emitter gerilimi ve 2A maksimum kolektör akımı ile güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 170MHz transition frequency ve 325mW maksimum güç derecelendirmesi ile düşük sinyalli RF ve switching uygulamalarına uygundur. 3-XDFN Exposed Pad surface mount paketlemesi kompakt tasarımlar için avantajlı olup, 150°C çalışma sıcaklığında işletim kalitesini korur. Típik Vce saturation 210mV@1A ve 60 minimum DC current gain özellikleri ile hassas anahtarlama ve amplifikasyon devreleri için tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 2A, 2V |
| Frequency - Transition | 170MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 325 mW |
| Supplier Device Package | DFN1010D-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 210mV @ 50mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok