Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
PBSS5160QAZ
TRANS PNP 60V 1A DFN1010D-3
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- PBSS5160
PBSS5160QAZ Hakkında
PBSS5160QAZ, Nexperia tarafından üretilen bir PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). 60V collector-emitter breakdown voltajı ve 1A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 150MHz transition frequency sayesinde hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 325mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile sınırlı enerji tüketimi gerektiren devrelerde uygun bir seçimdir. 3-XDFN Exposed Pad paketinde sunulan bu transistör, küçük alan gerektiren yüzey montajlı uygulamalarda tercih edilir. 460mV maksimum doyum voltajı ve 85 minimum DC current gain özellikleri, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde güvenilir performans sağlar. Tüketici elektroniği, taşınabilir cihazlar ve düşük güçlü anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 85 @ 1A, 2V |
| Frequency - Transition | 150MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 325 mW |
| Supplier Device Package | DFN1010D-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 460mV @ 50mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok