Transistörler - Bipolar (BJT) - Diziler

PBSS5160PAPSX

IC TRANS PNP/PNP 60V SOT1118

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
6-UDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
PBSS5160

PBSS5160PAPSX Hakkında

PBSS5160PAPSX, Nexperia tarafından üretilen dual PNP transistör entegresi olup, SOT1118 (6-UDFN Exposed Pad) paketinde sunulmaktadır. Her bir transistör 1A kolektör akımı, 60V breakdown voltajı ve 370mW maksimum güç yeteneğine sahiptir. 125MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Minimum 120 (hFE) DC akım kazancı ve 550mV doyum voltajı özellikleriyle, -150°C'ye kadar çalışabilen bu bileşen, ses amplifikasyonu, röle sürücüsü, LED kontrol devreleri ve genel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Surface mount tipi montajı ve düşük leakage akımı (100nA ICBO) endüstriyel ve tüketici elektronik ürünlerinde geniş kullanım alanı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition 125MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 6-UDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power - Max 370mW
Supplier Device Package DFN2020D-6
Transistor Type 2 PNP (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 550mV @ 50mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok