Transistörler - Bipolar (BJT) - Diziler

PBSS5160PAP,115

TRANS 2PNP 60V 1A 6HUSON

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
6-UFDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
PBSS5160PAP

PBSS5160PAP,115 Hakkında

PBSS5160PAP,115, Nexperia tarafından üretilen 2 PNP transistörden oluşan dual BJT dizisidir. 6-UFDFN Exposed Pad (6-HUSON) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, 60V breakdown voltajı ve 1A maksimum collector akımı ile çalışır. 510mW maksimum güç tüketimi ile enerji verimliliğe uygun tasarlanmıştır. 125MHz transition frequency'si sayesinde orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. DC current gain değeri 500mA ve 2V koşullarında 120'dir. Vce saturation voltajı 340mV ile düşük kayıplar sağlar. 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığına dayanır. Ses amplifikasyonu, genel sinyal işleme ve anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition 125MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 6-UFDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power - Max 510mW
Supplier Device Package 6-HUSON (2x2)
Transistor Type 2 PNP (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 340mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok