Özel IC'ler
PBSS5160PAP115
NOW NEXPERIA PBSS5160PAP - SMALL
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 6-UFDFN Exposed Pad
- Kategori
- Özel IC'ler
- Seri / Aile Numarası
- PBSS5160
PBSS5160PAP115 Hakkında
PBSS5160PAP, Rochester Electronics tarafından üretilen dual PNP bipolar junction transistör (BJT) dizisidir. 60V collector-emitter breakdown voltajı ve 1A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 125MHz transition frequency'si ile analog sinyal işleme, amplifikasyon ve anahtarlama devrelerinde yer alır. Surface mount 6-UFDFN Exposed Pad paketinde sunulan bu bileşen, 340mV saturation voltajı ile düşük kayıp uygulamalarına uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen PBSS5160PAP, tüketici elektroniği, endüstriyel kontrol sistemleri ve ses amplifikasyon devrelerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
| Part Status | Active |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 500mA, 2V |
| Frequency - Transition | 125MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UFDFN Exposed Pad |
| Power - Max | 510mW |
| Supplier Device Package | 6-HUSON (2x2) |
| Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 340mV @ 100mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok