Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
PBSS5130T,215
TRANS PNP 30V 1A SOT23
PBSS5130T,215 Hakkında
PBSS5130T,215, Nexperia tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). 30V kollektör-emitör breakdown voltajı ve 1A maksimum kollektör akımı ile orta seviye anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 260 minimum DC akım kazancı (hFE) ile 500mA, 2V koşullarında çalışabilir. 200MHz transition frequency ile hızlı komutasyon gerektiren devrelerde tercih edilir. Surface mount SOT-23 paketinde sunulan kompakt tasarımı, gürültü kontrol devreleri, LED sürücüleri, ses amplifikatörleri ve röle kontrol uygulamalarında yaygınlaştırılmıştır. 150°C maksimum junction sıcaklığında ve 480mW güçte çalışabilen bu transistör, düşük sinyal seviyesi anahtarlamadan orta güç uygulamalarına kadar geniş kullanım alanına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 260 @ 500mA, 2V |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 480 mW |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 225mV @ 50mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok