Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

PBSS5130QAZ

TRANS PNP 30V 1A DFN1010D-3

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
3-XDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
PBSS5130

PBSS5130QAZ Hakkında

PBSS5130QAZ, Nexperia tarafından üretilen yüksek hızlı PNP bipolar transistördür. 30V collector-emitter gerilimi ve 1A collector akımı ile tasarlanan bu bileşen, düşük güç uygulamaları için uygundur. 170MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. Surface mount DFN1010D-3 paketinde sunulan transistör, kompakt tasarımlar ve yüksek yoğunluklu elektronik kartlarda kullanılır. Ses amplifikatörleri, anahtarlama devreleri, sürücü uygulamaları ve düşük seviye sinyal işleme gibi alanlarda tercih edilir. 130 minimum DC current gain (hFE) ve 240mV saturation voltajı ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Lütfen unutmayın ki bu ürün obsolete durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 130 @ 1A, 2V
Frequency - Transition 170MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 3-XDFN Exposed Pad
Part Status Obsolete
Power - Max 325 mW
Supplier Device Package DFN1010D-3
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 240mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok