Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

PBSS5130QAZ

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

Paket/Kılıf
3-XDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
PBSS5130

PBSS5130QAZ Hakkında

PBSS5130QAZ, Rochester Electronics tarafından üretilen küçük sinyal PNP bipolar transistördür. Surface mount DFN1010D-3 paketinde sunulan bu komponent, maksimum 1A kolektör akımı ve 130 minimum DC akım kazancı ile karakterizedir. 170MHz transition frekansı, 30V kolektör-emiter gerilim dayanımı ve 325mW maksimum güç derecelendirmesi ile donatılmıştır. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında stabil performans sunar. Düşük kollektör cutoff akımı (100nA) ile leakage özellikleri iyidir. Sinyal anahtarlama, amplifikasyon ve genel sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. Tüketici elektroniği, endüstriyel kontrol ve haberleşme ekipmanlarında yaygın olarak uygulanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 130 @ 1A, 2V
Frequency - Transition 170MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 3-XDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power - Max 325 mW
Supplier Device Package DFN1010D-3
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 240mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok