Transistörler - Bipolar (BJT) - Diziler
PBSS5130PAP,115
NOW NEXPERIA PBSS5130PAP - SMALL
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 6-UFDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- PBSS5130
PBSS5130PAP,115 Hakkında
PBSS5130PAP, Nexperia tarafından üretilen dual PNP transistör dizisidir. 6-UFDFN (2x2) surface mount paketinde sunulan bu komponent, 1A maksimum collector akımı ve 125MHz transition frequency ile orta hızlı switching uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. 30V maksimum collector-emitter breakdown voltajı ve 510mW güç dağıtımı ile genel amaçlı amplifikasyon, switching ve sinyal işleme devrelerinde kullanılır. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilen komponent, cep telefonu, tüketici elektroniği ve endüstriyel kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 170 (minimum) DC current gain değeri, sabit akım kaynaklarında ve analog switch uygulamalarında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 170 @ 500mA, 2V |
| Frequency - Transition | 125MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UFDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 510mW |
| Supplier Device Package | 6-HUSON (2x2) |
| Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 280mV @ 50mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok