Transistörler - Bipolar (BJT) - Diziler
PBSS4350SPN,115
NOW NEXPERIA PBSS4350SPN - SMALL
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Seri / Aile Numarası
- PBSS4350
PBSS4350SPN,115 Hakkında
PBSS4350SPN,115 bir NPN/PNP bipolar junction transistör (BJT) dizisi olup, Surface Mount 8-SOIC pakette sunulmaktadır. Rochester Electronics tarafından üretilen bu komponent, 2.7A maksimum kolektör akımı ve 750mW maksimum güç disipasyonuna sahiptir. DC akım kazancı (hFE) 180-300 aralığında değişmektedir. 50V maksimum kolektör-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılabilir. Vce saturation voltajı 340-370mV civarında olup, anahtarlama uygulamalarında ve genel sinyal amplifikasyonunda tercih edilir. -150°C işletme sıcaklığı aralığında çalışır. Kolektör cutoff akımı maksimum 100nA'dir. Tüketici elektroniği, endüstriyel kontrol ve ses amplifikasyonu gibi uygulamalarda yaygın şekilde kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2.7A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 1A, 2V / 180 @ 1A, 2V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 750mW |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Transistor Type | NPN, PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 340mV @ 270mA, 2.7A, 370mV @ 270mA, 2.7A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok