Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

PBSS4230QAZ

TRANS NPN 30V 2A DFN1010D-3

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
3-XDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
PBSS4230

PBSS4230QAZ Hakkında

PBSS4230QAZ, Nexperia tarafından üretilen yüksek hızlı NPN bipolar transistördür. 30V kolektör-emiter gerilimi ve 2A maksimum kolektör akımı ile çalışan bu bileşen, yüksek frekanslı uygulamalarda kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 190MHz transition frequency değeri ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 325mW maksimum güç yeteneğine sahip olup, 100mV'den düşük saturasyon gerilimi sayesinde verimli çalışma sağlar. Surface mount DFN1010D-3 paketinde sunulan bileşen, kompakt tasarımlar ve yüksek entegrasyon gerektiren uygulamalarda tercih edilir. Özellikle amplifikasyon devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve küçük sinyal işlemede kullanım alanı bulur. 150°C'ye kadar çalışabilen bu transistör, endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında geniş kullanım yelpazesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 2 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition 190MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 3-XDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power - Max 325 mW
Supplier Device Package DFN1010D-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 190mV @ 50mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok