Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
PBSS4230QAZ
NEXPERIA PBSS4230QA - 30V, 2A NP
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- PBSS4230QA
PBSS4230QAZ Hakkında
PBSS4230QAZ, Nexperia tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür. 30V kolektör-emitter breakdown voltajı ve 2A maksimum kolektör akımı ile çalışan bu transistör, 190MHz transition frequency'si sayesinde yüksek hızlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 325mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ve 100 minimum DC akım kazancı (hFE) ile tasarlanmıştır. Surface mount DFN1010D-3 paketinde sunulan bileşen, 150°C çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir. Endüstriyel ve tüketici elektronikleri, sürücü devreleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilen bir komponenttir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 2A, 2V |
| Frequency - Transition | 190MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 325 mW |
| Supplier Device Package | DFN1010D-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 190mV @ 50mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok