Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
PBSS4230PAN,115
NEXPERIA PBSS4230PAN - SMALL SIG
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 6-UFDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- PBSS4230
PBSS4230PAN,115 Hakkında
PBSS4230PAN, Nexperia tarafından üretilen küçük sinyal NPN bipolar junction transistördür. Surface mount 6-UFDFN (2x2) paketinde sunulan bu bileşen, 2A maksimum kolektör akımı ve 30V breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 120MHz transition frequency ve minimum 200 hFE DC current gain ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde yer alır. 510mW maksimum güç derecelendirmesi ve 150°C işletme sıcaklığı ile geniş çalışma alanına sahiptir. Düşük 290mV saturasyon voltajı sayesinde dijital logik devrelerinde ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2A |
| Part Status | Active |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 1A, 2V |
| Frequency - Transition | 120MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UFDFN Exposed Pad |
| Power - Max | 510mW |
| Supplier Device Package | 6-HUSON (2x2) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 290mV @ 200mA, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok