Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
PBSS4160QAZ
TRANS NPN 60V 1A 3DFN
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- PBSS4160
PBSS4160QAZ Hakkında
PBSS4160QAZ, Nexperia tarafından üretilen yüksek hızlı NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, 3-pin DFN1010D-3 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Maksimum 1A kolektör akımı, 60V emitter-kolektör kırılma gerilimi ve 180MHz transition frequency özelliğine sahiptir. Saturasyon voltajı düşük (245mV @ 1A) ve 85 minimum DC akım kazancı (1A, 2V şartlarında) ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1W maksimum güç tüketimi ve 150°C çalışma sıcaklığı ile kompakt tasarımlı anahtarlama devreleri, sinyal amplifikasyonu, darbe genişliği modülasyonu (PWM) kontrolü ve düşük güçlü RF uygulamalarında tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 85 @ 1A, 2V |
| Frequency - Transition | 180MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1 W |
| Supplier Device Package | DFN1010D-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 245mV @ 50mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok