Transistörler - Bipolar (BJT) - Diziler

PBSS4160PANSX

TRANS 2NPN 60V 1A DFN2020D-6

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
6-UDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
PBSS4160PA

PBSS4160PANSX Hakkında

PBSS4160PANSX, Nexperia tarafından üretilen çift NPN transistör (dual BJT) dizisidir. 6-UDFN Exposed Pad paketinde sunulan bu komponent, maksimum 1A kolektör akımı ve 60V kolektör-emitter gerilimi ile çalışır. 175MHz transition frequency ve 150°C maksimum junction sıcaklığında güvenilir performans sağlar. DC akım kazancı 150V minimum (500mA, 2V koşullarında) ve 120mV maksimum saturasyon gerilimi (50mA base, 500mA kolektör akımında) ile karakterize edilir. 370mW maksimum güç tüketimi ile enerji verimli tasarımlar için uygundur. Yüksek frekanslı anahtarlama uygulamaları, sinyal amplifikasyonu, lojik seviye dönüştürme ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition 175MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 6-UDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power - Max 370mW
Supplier Device Package DFN2020D-6
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 120mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok