Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
PBSS4130QAZ
TRANS NPN 30V 1A DFN1010D-3
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- PBSS4130
PBSS4130QAZ Hakkında
PBSS4130QAZ, Nexperia tarafından üretilen yüksek hızlı NPN bipolar junction transistördür. 30V collector-emitter dağılım gerilimi ve 1A maksimum collector akımı ile tasarlanmıştır. 190MHz transition frequency özelliği sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 325mW maksimum güç dağılımı ile işaret amplifikasyonu, anahtarlama ve RF uygulamalarında tercih edilir. 180 (minimum) DC akım kazancı ve 245mV saturation gerilimi ile verimli anahtarlama davranışı gösterir. Kompakt 3-XDFN exposed pad paket tasarımı yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygun olup, 150°C junction sıcaklığına kadar çalışabilir. Mobil cihazlar, ses amplifikasyonu, anahtarlama kaynakları ve endüstriyel kontrol uygulamalarında yaygın kullanım alanları vardır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 1A, 2V |
| Frequency - Transition | 190MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 325 mW |
| Supplier Device Package | DFN1010D-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 245mV @ 50mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok