Transistörler - Bipolar (BJT) - Diziler
PBSS4130PANP,115
NOW NEXPERIA PBSS4130PANP - SMAL
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 6-UFDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- PBSS4130
PBSS4130PANP,115 Hakkında
PBSS4130PANP, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek hızlı NPN/PNP bipolar transistör dizisidir. 6-UFDFN (2x2) yüzey montajlı paket içerisinde sunulan bu komponent, 1A maximum collector akımı ve 165MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. 210 minimum DC current gain (hFE), 100mV maximum saturation voltajı ve 30V breakdown voltajı ile ses frekansı ve RF amplifikatör devreleri, hızlı dijital anahtarlama, sürücü uygulamaları ve sinyal işleme devrelerinde kullanılabilir. 510mW maksimum güç tüketimi ile orta güç seviyesi uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 210 @ 500mA, 2V |
| Frequency - Transition | 165MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UFDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 510mW |
| Supplier Device Package | 6-HUSON (2x2) |
| Transistor Type | NPN, PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok