Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
PBSS4120T,215
TRANS NPN 20V 1A TO236AB
PBSS4120T,215 Hakkında
PBSS4120T,215, Nexperia tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 20V collector-emitter breakdown voltajı ve 1A maksimum collector akımı ile çalışır. 480mW maksimum güç dağıtım kapasitesine sahiptir. 300 minimum DC current gain (hFE) değeri ile 500mA akımda 2V Vce'de ölçülmüştür. Saturation voltajı 250mV'tir (50mA base akımı, 1A collector akımında). 100MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Düşük collector cutoff akımı (100nA ICBO) ve -40°C ile +150°C arasında güvenilir işletme özellikleri gösteren, güçlendiriciler, logic arayüzleri, genel amaçlı anahtarlama devreleri ve düşük sinyal uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 500mA, 2V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 480 mW |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 50mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok