Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PBRN123YS,126
TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- PBRN123YS
PBRN123YS,126 Hakkında
PBRN123YS,126, NXP Semiconductors tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistördür. TO-92-3 paketinde sunulan bu komponent, maksimum 800 mA kolektör akımı ve 700 mW güç dağıtımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. İçerisinde entegre 2.2 kOhms taban ve 10 kOhms emitter-taban dirençleri bulunur. 40V maksimum kolektör-emitter gerilimi ve 500 minimum DC akım kazancı ile, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılan bir transistördür. Elektronik cihazlarda sinyal işleme, düşük güç anahtarlama devreleri ve lojik seviye dönüştürme uygulamalarında yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 500 @ 300mA, 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 700 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.15V @ 8mA, 800mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok