Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PBRN123ES,126
TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- PBRN123ES
PBRN123ES,126 Hakkında
PBRN123ES,126, NXP Semiconductors tarafından üretilen NPN tipinde ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. TO-92-3 (TO-226AA) paketinde sunulan bu bileşen, entegre base ve emitter dirençleri (2.2 kΩ) içerir. Maksimum 800 mA kolektör akımı ve 700 mW güç yeteneğiyle, anahtarlama uygulamalarında ve düşük seviye sinyal işlemede kullanılır. 40V VCEO diyelectric dayanımı ve 280 minimum DC akım kazanımı (hFE) ile genel amaçlı lojik devreler, aydınlatma kontrolü ve sensör uygulamalarında tercih edilir. Ön beslemeli yapısı sayesinde harici biasing bileşenleri gerektirmez.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 280 @ 300mA, 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 700 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.15V @ 8mA, 800mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok