Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PBRN123EK,115
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- PBRN123EK
PBRN123EK,115 Hakkında
PBRN123EK,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen ön beslemeli NPN transistördür. Surface mount TO-236-3 (SOT-23-3) paketinde sunulan bu transistör, maksimum 250mW güç tüketimi ve 600mA collector akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 2.2kΩ baz ve emitter-baz dirençlerinin entegre edilmiş yapısıyla hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Minimum 280 DC current gain (hFE) değeriyle düşük sinyallu amplifikasyon ve dijital devre uygulamalarında yer alır. 40V breakdown voltajı ve 1.15V doyum voltajı özellikleriyle kompakt elektronik tasarımlarda yaygın olarak kullanılan bir bileşendir. Not: Bu ürün EOL (End of Life) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 280 @ 300mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
| Supplier Device Package | SMT3; MPAK |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.15V @ 8mA, 800mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok