Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PBRN113ZS,126
TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- PBRN113ZS
PBRN113ZS,126 Hakkında
PBRN113ZS,126, NXP Semiconductors tarafından üretilen NPN ön beslemeli (pre-biased) transistördür. TO-92-3 (TO-226-3) kasa tipinde sunulan bu komponent, entegre base ve emitter dirençleri ile tasarlanmıştır. 800 mA maksimum kolektör akımı, 40V VCEO ve 700 mW güç derecelendirmesi ile genel amaçlı anahtarlama ve lojik uygulamalarında kullanılır. Ön beslemeli yapısı sayesinde harici bias dirençlerine gerek duymadan doğrudan mantık devreleriyle uyumludur. 300mA, 5V koşullarında 500 minimum hFE kazanç sağlar. Düşük kolektör kesme akımı (500nA max) onu düşük sızıntı gerektiren uygulamalar için uygundur. Ürün artık üretilmemektedir (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 500 @ 300mA, 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 700 mW |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.15V @ 8mA, 800mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok