Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PBRN113ZK,115
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- PBRN113ZK
PBRN113ZK,115 Hakkında
PBRN113ZK,115 NXP tarafından üretilen ön beslemeli NPN transistörüdür. TO-236-3 (SOT-23-3) SMD pakette sunulan bu bileşen, 250 mW güç kapasitesi ve 600 mA maksimum kolektör akımı ile karakterizedir. İç yapıda 1 kΩ baz direnci ve 10 kΩ emitter-baz direnci bulunmaktadır. 500 @ 300mA/5V DC akım kazancı sağlar. Maksimum 40 V kolektör-emitter gerilimi ve 1.15 V saturasyon voltajı ile endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında kullanılır. Ön bias yapısı nedeniyle sürücü ve anahtarlama devrelerinde tercih edilir. Not: Bu ürün artık üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 500 @ 300mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SMT3; MPAK |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.15V @ 8mA, 800mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok