Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

PBRN113ET,215

TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
PBRN113ET

PBRN113ET,215 Hakkında

PBRN113ET,215, Nexperia tarafından üretilen NPN ön beslemeli (pre-biased) transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 250mW güç tüketimi ile entegre edilmiş tabanında 1kΩ ve emiter-tabana 1kΩ direnç içerir. 600mA maksimum kolektör akımına, 40V VCEO kırılma voltajına ve 180 minimum DC akım kazancına (hFE @ 300mA, 5V) sahiptir. Gürültü önlemesi, sinyal şekillendirme ve lojik seviye ayarlaması gibi ön beslemeli transistör uygulamalarında kullanılır. Düşük güç tüketimi ve kompakt paketi sayesinde taşınabilir cihazlar, sensör devreler ve sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 600 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 180 @ 300mA, 5V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 250 mW
Resistor - Base (R1) 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 1 kOhms
Supplier Device Package TO-236AB
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.15V @ 8mA, 800mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok