Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PBRN113ES,126
TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- PBRN113ES
PBRN113ES,126 Hakkında
PBRN113ES,126, NXP Semiconductors tarafından üretilen NPN ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. TO-92-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 800mA collector akımı ve 40V VCE breakdown voltajı ile çalışabilir. Entegre 1kΩ base ve emitter-base direnç içermesi sayesinde direkt sürülemeyen sinyal kaynakları için uygun bir çözüm sağlar. 700mW güç sınırlaması ve 180 minimum DC current gain (hFE) ile düşük güçlü anahtarlama ve güçlendirme uygulamalarında kullanılır. Ses cihazları, sensör arabirimleri ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde tercih edilen bir komponenttir. Ürün şu anda üretim dışıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 300mA, 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 700 mW |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 1 kOhms |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.15V @ 8mA, 800mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok