Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PBRN113EK,115
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- PBRN113
PBRN113EK,115 Hakkında
PBRN113EK,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen surface mount NPN ön beslemeli transistördür. 250mW güç derecelendirmesine sahip bu bileşen, TO-236-3 (SOT-23-3) SMT kasa türünde sunulmaktadır. Maksimum 600mA kollektör akımı ve 40V kollektör-emitter gerilim dayanımı ile çalışabilir. İntegre edilmiş 1kOhms taban ve 1kOhms emitter-taban dirençleri sayesinde ön beslemeli tasarımı tercih edilir. DC akım kazancı (hFE) 300mA, 5V koşullarında minimum 180 değerinde belirtilmiştir. Elektronik devrelerde sinyalleme, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılan bu transistör, kompakt boyutu ve düşük güç tüketimi ile gömülü sistemler ve tüketici elektroniği tasarımlarında tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 300mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 1 kOhms |
| Supplier Device Package | SMT3; MPAK |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.15V @ 8mA, 800mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok