Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
PBR951,215
RF TRANS NPN 10V 8GHZ TO236AB
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- PBR951
PBR951,215 Hakkında
PBR951,215, NXP Semiconductors tarafından üretilen RF uygulamaları için tasarlanmış bir NPN bipolar junction transistördür. TO-236-3 (SOT-23) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 8GHz geçiş frekansına sahip ve 10V maksimum kolektor-emiter geriliminde çalışmaktadır. Maksimum 100mA kollektör akımı ve 365mW güç tüketimi kapasitesi ile RF sinyal amplifikasyonu, yüksek frekans uygulamaları ve kablosuz haberleşme devreleri için uygundur. 1GHz-2GHz aralığında 1.3dB-2dB tipik gürültü şekli ile düşük gürültülü amplifikasyon gerektiren uygulamalarda kullanılabilir. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 5mA, 6V |
| Frequency - Transition | 8GHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.3dB ~ 2dB @ 1GHz ~ 2GHz |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 365mW |
| Supplier Device Package | SOT-23 (TO-236AB) |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 10V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok