Transistörler - Bipolar (BJT) - RF

PBR941,215

RF TRANS NPN 10V 8GHZ TO236AB

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
PBR941

PBR941,215 Hakkında

PBR941,215, NXP Semiconductors tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar transistördür. 8GHz transition frequency ile RF ve mikrodalga uygulamalarında kullanılır. Maksimum 50mA kolektör akımı, 10V collector-emitter breakdown voltajı ve 360mW güç kapasitesi ile düşük sinyal seviyesi RF amplifikasyon devrelerinde uygulanabilir. 1.4-2dB gürültü figürü ile 1-2GHz frekans bandında çalışmaya uygundur. SOT-23 paketinde sunulan bu transistör, gürültü şekillendirme amplifikatörleri, düşük gürültü ön amplifikatörler ve RF sınıflandırıcı uygulamalarında tercih edilir. Maksimum junction sıcaklığı 175°C'dir. Not: Bu ürün üretim dışı (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 5mA, 6V
Frequency - Transition 8GHz
Mounting Type Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz ~ 2GHz
Operating Temperature 175°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 360mW
Supplier Device Package SOT-23 (TO-236AB)
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 10V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok