Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
PBHV9110DW_R2_00001
PNP LOW VCE(SAT) TRANSISTOR
PBHV9110DW_R2_00001 Hakkında
PBHV9110DW_R2_00001, Panjit tarafından üretilen PNP tip bipolar junction transistördür (BJT). Düşük VCE(sat) özelliğine sahip olup, maksimum 1A collector akımında çalışabilir. 100MHz transition frekansı ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 100V breakdown gerilimi ve geniş -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığı ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında tercih edilir. SOT-223 yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uygun olup, amplifikasyon, anahtarlama ve lojik seviyeleri tersine çevirme gibi devrelerde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 140 @ 150mA, 2V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2.6 W |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 100mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok