Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
PBHV9110DA_R1_00001
NPN LOW VCE(SAT) TRANSISTOR
PBHV9110DA_R1_00001 Hakkında
PBHV9110DA, PANJIT tarafından üretilen düşük doyma gerilimi (VCE(SAT)) karakteristiğine sahip NPN bipolar transistördür. Maksimum 1A kolektör akımı ve 100MHz transition frekansı ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 100V maksimum kolektör-emitter kırılma gerilimi ve geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ile endüstriyel ve tüketici elektroniklerinde görülebilir. SOT-23-3 yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uygun olup, düşük güç tüketimi (1.25W max) ile batarya destekli cihazlarda tercih edilir. Özellikle düşük saturasyon gerilimi, bu transistörü işaret işleme, motor kontrolü ve güç yönetimi devrelerinde tercih edilen bir seçenek yapar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 500mA, 5V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.25 W |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 100mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok