Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

PBHV8560ZX

IC TRANS NPN 600V 0.5A SOT223

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
PBHV8560

PBHV8560ZX Hakkında

PBHV8560ZX, Nexperia tarafından üretilen yüksek voltaj NPN bipolar junction transistördür. 600V collector-emitter breakdown voltajı ve 500mA maksimum collector akımı ile özellikle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. SOT223 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 650mW güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. 70 minimum DC current gain (hFE) değeri ile amplifikasyon ve anahtarlama devrelerinde etkin bir şekilde çalışabilir. 100mV saturation voltajı ve düşük collector cutoff akımı (100nA) özellikleri sayesinde verimli güç kontrolü sağlar. Güç kaynakları, dc-dc dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 50mA, 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Active
Power - Max 650 mW
Supplier Device Package SOT-223
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok