Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

PBHV8115TLHR

PBHV8115TLH/SOT23/TO-236AB

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
PBHV8115

PBHV8115TLHR Hakkında

PBHV8115TLHR, Nexperia tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, SOT-23 (TO-236-3) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 1A maksimum collector akımı, 150V collector-emitter breakdown voltajı ve 70 minimum DC current gain (hFE) değeri ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 30MHz transition frequency ile orta hızlı geçiş uygulamalarında ve düşük sinyal seviyesi anahtarlamada tercih edilir. 60mV maksimum saturation voltajı sayesinde anahtarlama uygulamalarında düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığı ile geniş endüstriyel uygulamalar için uygundur. Ses amplifikasyonu, motor kontrol, sinyal anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition 30MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Supplier Device Package TO-236AB
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 60mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 150 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok