Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
PBHV8110DW_R2_00001
NPN LOW VCE(SAT) TRANSISTOR
PBHV8110DW_R2_00001 Hakkında
PBHV8110DW, PANJIT tarafından üretilen düşük saturasyon voltajına sahip NPN bipolar transistördür. 1A maksimum collector akımı, 100V collector-emitter gerilim dayanıklılığı ve 100MHz transition frekansı ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 450mV saturasyon voltajı (100mA/1A koşullarında) sayesinde güç tasarruflu tasarımlar için tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. TO-261-4 (SOT-223) yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama, amplifikasyon ve driver uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 140 @ 150mA, 2V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2.6 W |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 450mV @ 100mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok