Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
PBHV8110DA_R1_00001
NPN LOW VCE(SAT) TRANSISTOR
PBHV8110DA_R1_00001 Hakkında
PBHV8110DA, PANJIT tarafından üretilen NPN tip bipolar jonksiyon transistörüdür. Düşük VCE(SAT) değeri ile karakterize edilmiş olup, 450mV saturasyon voltajı (100mA@1A koşullarında) sayesinde güç tüketiminin minimize edildiği uygulamalarda tercih edilir. TO-236-3 (SOT-23) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 1A maksimum kollektör akımı, 140 (minimum DC akım kazancı @ 150mA, 2V), 100MHz transition frequency ve 100V breakdown voltajı ile çalışır. 150°C maksimum junction sıcaklığında 1.25W güç yayabilir. Gümrük kapısı uygulamaları, anahtarlama devreleri, ses amplifikasyonu ve genel amaçlı düşük güçlü elektronik cihazlarda yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 140 @ 150mA, 2V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.25 W |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 450mV @ 100mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok