Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
NXPSC20650W-AQ
SILICON CARBIDE POWER DIODE
- Üretici
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- NXPSC20650W
NXPSC20650W-AQ Hakkında
NXPSC20650W-AQ, WeEn Semiconductors tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky güç diyotudur. 650V ters gerilim dayanımı ve 20A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile yüksek voltajlı uygulamalarda kullanılır. 1.7V ileri gerilim düşüşü (10A'de) ile düşük enerji kaybı sağlar. Sıfır reverse recovery time (trr = 0 ns) sayesinde hızlı anahtarlama özelliği gösterir. TO-247-3 paket tipinde montajlanır ve 175°C maksimum junction sıcaklığında çalışır. Enerji dönüştürme sistemleri, solar inverterler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel güç uygulamalarında tercih edilir. Common cathode konfigürasyonu ile çift diyot işlevselliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 20A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 60 µA @ 650 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 10 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok