Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
NXPSC166506Q
SILICON CARBIDE POWER DIODE
- Üretici
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NXPSC166506Q
NXPSC166506Q Hakkında
NXPSC166506Q, WeEn Semiconductors tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky güç diyotudur. 650V ters voltaj dayanımı ve 16A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-2 through hole paketinde sunulan bu bileşen, 1.7V maksimum ileri voltaj düşümü ile verimli doğrultma işlemi gerçekleştirir. Sıfır reverse recovery time özelliği sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 175°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilen bu diyot, güç kaynakları, inverterler, motor kontrolü ve endüstriyel güç elektroniği uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 534pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 16A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220AC |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 16 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok