Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
NXPSC12650B6J
SILICON CARBIDE POWER DIODE
- Üretici
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NXPSC12650B6J
NXPSC12650B6J Hakkında
NXPSC12650B6J, WeEn Semiconductors tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky güç diyotudur. 650V ters voltaj ve 12A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. Sıfır reverse recovery time (trr) karakteristiği sayesinde hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebildiği için AC/DC konvertörler, invertörler, solar enerji sistemleri ve endüstriyel güç cihazlarında tercih edilir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, 1.7V maksimum ileri voltaj düşüşü ve 80µA ters sızıntı akımı özellikleriyle verimli çalışma sağlar. -55°C ile +175°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 380pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 12A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 80 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 12 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok